BUHOT, Jonathan; MONTIEL, X.; GALLAIS, Y.; CAZAYOUS, M.; SACUTO, A.; LAPERTOT, G.; AOKI, D.; HUSSEY, N.; LACROIX, Claudine; PÉPIN, C.; BURDIN, S.; MÉASSON, Marie-Aude

doi:10.1103/PhysRevB.101.245103

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Licence d’utilisation du document

BUHOT, Jonathan
Radboud University [Nijmegen]

MONTIEL, X.
Royal Holloway [University of London] [RHUL]

GALLAIS, Y.
Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques [MPQ (UMR_7162)]

Langue

Article de revue

Ce document a été publié dans

Physical Review B. 2020, vol. 101, n° 24, p. 245103

American Physical Society

Résumé en anglais

A polarized electronic Raman scattering study reveals the emergence of symmetry dependence in the electronic Raman response of single crystalline URu2Si2 below the Kondo crossover scale TK ∼ 100 K. In particular, the development of a coherent Kondo pseudo-gap predominantly inthe Eg channel highlights strong anisotropy in the Kondo physics in URu2Si2 that has previously been neglected in theoretical models of this system and more generally has been sparsely treated for Kondo systems. A calculation of the Raman vertices demonstrates that the strongest Raman vertex does indeed develop within the Eg channel for interband transitions and reaches a maximum along the diagonals of the Brillouin zone, implying a d-wave-like geometry for the Kondo pseudo-gap. Below the hidden order phase transition at THO = 17.5 K, the magnitude of the pseudo-gap isfound to be enhanced.< Réduire

DOI

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.101.245103

Project ANR

Topologie de surfaces de Fermi et émergence de nouveaux états électroniques dans des systèmes fortement corrélés
Spectroscopie des Ordres Exotiques – le boson de Higgs dans les Supraconducteurs

Origine

Importé de hal

Unités de recherche

Laboratoire Ondes et Matière d'Aquitaine (LOMA) - UMR 5798