Etude du cofrittage de matériaux diélectriques et magnétiques pour composants passifs intégrés
DUGUEY, Sonia
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
DUGUEY, Sonia
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
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Thales Research and Technology [Palaiseau]
Institut de Chimie de la Matière Condensée de Bordeaux [ICMCB]
Language
fr
Thèses de doctorat
Doctoral school
Sciences ChimiquesAbstract
Des matériaux céramiques diélectrique et magnétique présentant une basse température de frittage ont été étudiés et mis au point pour la réalisation de fonctions passives intégrées. Le matériau diélectrique qui a été retenu ...Read more >
Des matériaux céramiques diélectrique et magnétique présentant une basse température de frittage ont été étudiés et mis au point pour la réalisation de fonctions passives intégrées. Le matériau diélectrique qui a été retenu est issu de la famille des ANT (AgNbxTa1-xO3). L'ajout de CuO a permis de diminuer sa température de frittage à 880°C tout en conservant de bonnes propriétés diélectriques : permittivité = 400 ; pertes diélectriques < 5.10-3 à 1,5 GHz ; stabilité de e entre – 25 et + 150°C.<br />Le matériau magnétique est un ferrite NiZnCu substitués par le cobalt. Des ajouts d'oxyde de bismuth ont permis des frittages à 880°C avec des caractéristiques satisfaisantes :<br />perméabilité = 300, pertes en puissance < 500 mW/cm3 à 1,5 MHz et 25 mT et ce jusqu'à 100°C.Read less <
English Abstract
Dielectric and magnetic ceramic materials having a low sintering temperature were studied and developped for the realization of integrated passive functions.<br />The selected dielectric material belongs to the ANT solid ...Read more >
Dielectric and magnetic ceramic materials having a low sintering temperature were studied and developped for the realization of integrated passive functions.<br />The selected dielectric material belongs to the ANT solid solution (AgNbxTa1-xO3). CuO addition made it possible to decrease its sintering temperature to 880°C while keeping good dielectric properties : permittivity = 400 ; dielectric losses < 5.10-3 at 1.5 GHz ; stability of epsilon between – 25 and + 150°C.<br />The magnetic material is a NiZnCu ferrite substituted by cobalt. Bismuth oxide additions allowed sintering at temperatures as low as 880°C with good properties : permeability = 300, power losses < 500 mW/cm3 at 1.5 MHz, 25 mT up to 100°C.Read less <
Keywords
LTCC
Céramique coulage en bandes
Cofrittage
Diélectrique
Ferrite
Haute fréquence
Sérigraphie
English Keywords
Cosintering
Dielectric
High frequency
Screen printing
Tape casting
Ceramic
Origin
Hal imported