NGO, Thi Huong; COMYN, Rémi; CHENOT, Sébastien; BRAULT, Julien; DAMILANO, Benjamin; VEZIAN, Stephane; FRAYSSINET, Eric; COZETTE, Flavien; DEFRANCE, N.; LECOURT, François; LABAT, Nathalie; MAHER, Hassan; CORDIER, Yvon

doi:10.1016/j.sse.2021.108210

Idioma

Article de revue

Este ítem está publicado en

Solid-State Electronics. 2022, vol. 188, p. 108210

Resumen en inglés

We report on the fabrication of an enhancement mode p-GaN/AlN/GaN high electron mobility transistor with selective area sublimation under vacuum of the p-GaN cap layer. The GaN evaporation selectivity is demonstrated on the thin 2 nm AlN barrier layer. Furthermore, the regrowth of AlGaN is a major key to increase the maximum drain current in the transistors and enables the co-integration with depletion mode devices.< Leer menos

Palabras clave en inglés

HEMT

GaN

Selective sublimation

Regrowth

URI

https://oskar-bordeaux.fr/handle/20.500.12278/140440

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108210

Proyecto ANR

Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération
Réseau national sur GaN - ANR-11-LABX-0014

Centros de investigación

IMS : Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système - UMR 5218

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Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors